RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Porównaj
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
41
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2348
3220
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link