RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2600
3230
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link