RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2726
2768
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link