RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2726
3343
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link