RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
75
Wokół strony -213% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
24
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3045
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link