RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
75
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
27
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3491
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link