RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
75
Wokół strony -317% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
18
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3507
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link