RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
75
Wokół strony -213% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
24
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2946
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link