RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
75
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
4200
Wokół strony 6.1 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
38
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
25600
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3030
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link