Porównanie pamięci RAM Kingston KVR533D2N4 512MB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Wynik ogólny

Kingston KVR533D2N4 512MB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB

Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

74 75

Wokół strony -1% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

13.6 1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.7 1,672.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 4200

Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston KVR533D2N4 512MB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

301 1616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns