RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Porównaj
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Wynik ogólny
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
55
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
5.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
55
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1432
2274
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link