RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
53
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.4
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
5.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
53
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.1
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1432
2333
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link