RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Porównaj
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
5.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1432
2489
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link