RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Porównaj
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Wynik ogólny
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2455
3310
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link