RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
45
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2556
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link