RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
33
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
22
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2995
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link