RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
40
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3034
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link