RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3082
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link