RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3434
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link