RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3045
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link