RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
33
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
22
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3297
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link