RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2768
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link