RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
95
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
95
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
1518
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link