RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
3246
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link