RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2882
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link