RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.9 left arrow 12.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 8.2
    Średnia wartość w badaniach
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 28
    Wokół strony -4% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 12800
    Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.9 left arrow 12.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 8.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2112 left arrow 2148

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Pamięć RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Pamięć RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Pamięć RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Pamięć RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Pamięć RAM
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Pamięć RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Pamięć RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Pamięć RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Pamięć RAM
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Pamięć RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Pamięć RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Pamięć RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Pamięć RAM