RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
23.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
58
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
4124
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link