RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
58
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2945
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link