RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
58
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2913
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link