RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Porównaj
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17500
Wokół strony 1.1 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17500
19200
Other
Opis
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2319
2888
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link