RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3019
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link