RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
81
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
81
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1554
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link