RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2701
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link