RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3025
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link