RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
51
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3356
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link