RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3538
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology 53627xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link