RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3010
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link