RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3087
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link