RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
73
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
73
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1736
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link