RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3208
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link