RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2478
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link