RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2384
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link