RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
51
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2940
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link