RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3157
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link