RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
51
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4230
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link