RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3199
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link