RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2659
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link