RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3676
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link