RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3767
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link