RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4114
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link